III/. Một số cấu hình đề xuất
1. Sử dụng công nghệ TD
|
STT
|
Cấu hình bảo vệ
|
Chế độ bảo vệ
|
Mã thiết bị
|
Khả năng cắt sét
|
Ghi chú
|
|
1.
|
1 pha
|
L-N & N-E
|
2*TDS11002SR277
|
100kA, 8/20µs (L-N & N-E)
|
2 thiết bị TDS11002SR277
|
|
2.
|
3 pha
|
L-N & N-E
|
4*TDS11002SR277
|
100kA/pha, 8/20µs (L-N & N-E)
|
4 thiết bị TDS11002SR277
|
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất
2. Sử dụng công nghệ TSG
|
STT
|
Cấu hình bảo vệ
|
Chế độ bảo vệ
|
Mã thiết bị
|
Khả năng cắt sét
|
Ghi chú
|
|
1.
|
1 pha
|
L-N & N-E
|
2*TSG1130-2S
|
130kA, 8/20µs (L-N & N-E)
|
2 thiết bị TSG1130-2S
|
|
2.
|
3 pha
|
L-N & N-E
|
4*TSG1130-2S
|
130kA/pha, 8/20µs (L-N & N-E)
|
4 thiết bị TSG1130-2S
|
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất
3. Sử dụng dạng tích hợp công nghệ TD và TSG
|
STT
|
Cấu hình bảo vệ
|
Chế độ bảo vệ
|
Mã thiết bị
|
Khả năng cắt sét
|
Ghi chú
|
|
1.
|
1 pha
|
L-N & N-E
|
TDS11002SR277 + TSG1130-2S
|
100kA, 8/20µs (L-N)
130kA, 8/20µs (N-E)
|
01 thiết bị TDS11002SR27701 và thiết bị TSG1130-2S
|
|
2.
|
3 pha
|
L-N & N-E
|
3*TDS11002SR277 + TSG1130-2S
|
100kA/pha, 8/20µs (L-N)
130kA, 8/20µs (N-E)
|
03 thiết bị TDS11002SR27701 và thiết bị TSG1130-2S
|
L-N: chế độ pha – trung tính
N-E: chế độ trung tính – đất
